准备弯道超车！三星启动1nm工艺研发，力求2029年量产

据报道，准备为了应对台积电，弯道三星电子半导体研究所已经成立了1nm芯片的超车正阳当地新闻网工艺研发团队，并抽调了部分参与过2nm等尖端制程的星启研发人员加入其中，掉队的艺研三星准备要搞起弯道超车了。

1nm工艺是发力三星“梦想中的半导体工艺”，想要成功实现，求年需要引入全新的量产技术概念和高数值孔径极紫外（High-NA EUV）设备。现在在三星公开的准备晶圆代工工艺路线图中，目前下一代的弯道尖端工艺是2027年量产1.4nm，量产1nm则是超车正阳当地新闻网2029年的目标。而要想实现1nm工艺的星启难度非常巨大，台积电自己都在摸索中，艺研所以没有人敢打包票什么时候能够成功量产1nm芯片，发力但三星无疑是求年这里面最着急的。在内部，三星集团会长李在镕已经多次强调要“延续重视技术的传统”，并表示要“以前所未有的技术引领未来”。

在3nm制程争夺战中，三星想要另辟蹊径，抛弃了传统的FinFET技术，选择采用更为先进的GAA架构，但GAA的水太深，三星没有把握住，导致其良率大打折扣。反观仍然选择“老旧”的FinFET技术的台积电，直接把3nm良率做到了80%以上，直接把三星揍得体无完肤，让三星失去了巨大的市场份额，甚至使其在2nm制程上也落后于台积电。台积电和三星两大巨头的商战，非常形象地演绎了“对手的失误就是我们的胜利”这句话的精髓。

落后就要挨打，急了的三星必须抓紧抢时机，毕竟任何一个行业都不希望看到有企业一家独大，当年Intel遥遥领先AMD后就学会了挤牙膏，直到AMD打出了漂亮的翻身仗，才有了广大玩家脸上的笑容。希望三星和台积电的这场硬仗，也会迎来“AMD YES！”时刻。